2020年03月16日 --【新竹讯】力旺电子今日宣布其嵌入式可多次编写(Multiple-Times Programmable，MTP)记忆体硅智财NeoMTP已成功于台积公司第三代0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)製程完成验证，提供IoT电源管理晶片(Power Management IC，PMIC) 客户极佳成本优势的NVM硅智财解决方桉。

力旺NeoMTP已广泛被USB Type-C与无线充电等电源管理晶片的客户所採用，这次与台积公司在0.18微米第三代BCD製程合作的解决方桉，具备更高整合性、更微小化、更低功耗等优异特徵。

无线充电已成为行动装置与IoT相关应用的基本配备，因此，市场对于整合逻辑控制(MCU)以及功率元件(Power Stage)的系统单晶片(SOC)的需求也逐步提升，同时，记忆体也被整合进系统单晶片中做程式码储存(Code Storage)功能，力旺的NeoMTP硅智财是此种设计的最佳解决方桉。

与传统的OTP或外挂式EEPROME相比，使用嵌入式MTP之无线充电控制器不仅提供更弹性的可编程性效能，同时更减少设计冗馀(design redundancy)。

「力旺的NVM产品在电源管理领域向来是极佳的选择」力旺业务发展中心副总何明洲表示。「力旺佈建于台积0.18微米第三代BCD製程的NeoMTP配备极优的特性，可使设计者在快速成长的电源管理市场取得先机。」

NeoMTP具备的独特特性包括不需唤醒操作以节省测试时间进而降低测试成本、支援快速编程/擦拭(Program/Erase)以及多晶片同步测试的模式，可方便用于大量测试。

除此之外，NeoMTP还具有以下特性：

可完全相容于标准的CMOS逻辑製程

优于标准的操作电压范围

高可靠度与支援高温操作

1,000次编写后记忆体仍维持10年以上的资料留存时间

NeoMTP的容量最高可达 8K32，不须多加光罩，且可客製化输出/输入(I/O)数字以符合客户的不同需求。

力旺NeoMTP于台积公司0.18微米第三代BCD製程的成功佈建可帮助IC设计客户有效率地达成整合所有功能于单一晶片中的目标，以缩短产品的开发上市时程。

力旺已成功佈建其eNVM解决方桉于台积公司的BCD製程，瞄准电源管理各相关应用。力旺的NeoBit在2017年完成台积0.18微米第三代BCD製程验证后，至今已有非常卓越的量产成果。而NeoMTP除了在0.18微米第三代BCD製程完成验证外，在90奈米BCD製程合作桉也正在进行，预计不久将来亦可完成验证。

力旺与台积公司的合作源于2003年，长久以来一直维持紧密的合作关係，已连续10年获颁台积公司之最佳IP伙伴奖，显示力旺与台积之关係密不可分，力旺的NeoBit, NeoFuse, NeoEE, NeoMTP等硅智财于台积各製程平台均已成功佈建，被共同客户大量採用并成功量产，取得亮眼的成果。

关于力旺电子

力旺电子(3529)是全球知名的领导半导体硅智财供应商，专精嵌入式Hard IP设计。自2000年成立以来，力旺持续提供全球1,550多家晶圆厂、整合元件厂和IC设计公司一流的硅智财解决方桉。自台积公司2010年创设「IP Partner Award」以来，力旺每年都以卓越的IP设计及服务获得此一奖项的肯定。

力旺在全球嵌入式非挥发性记忆体市场(embedded Non-volatile Memory)位居领导地位，其eNVM解决方桉广泛布建于全球主要晶圆厂製程，涵盖製程技术之广位居业界之冠。此外，力旺也领先业界以硅晶圆生物特徵开发其特有的晶片安全硅智财。

力旺的eNVM 硅智财系列包括可一次编写记忆体 (NeoBit/NeoFuse)、可多次编写记忆体 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)以及晶片安全硅智财NeoPUF。

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